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Notes: Zusammenfassung NiSb löst sich in geschmolzenem InSb bei genügend hohen Temperaturen unter Bildung einer homogenen Schmelze. Läßt man diese erstarren, so erhält man ein zweiphasiges Material. Bei gerichteter Kristallisation oder beim Zonenschmelzen von InSb mit 1,8 Gew.-% NiSb bildet sich ein Eutektikum, in dem sich das NiSb in Form von durchschnittlich etwa 50 μ langen Nadeln von etwa 1 μ Durchmesser ausscheidet. Die Längsachsen der NiSb-Nadeln sind parallel zur Erstarrungsrichtung angeordnet. Die elektrischen Eigenschaften des Eutektikums sind stark anisotrop. Bei zueinander senkrechten Orientierungen von Strom, Magnetfeld und NiSb-Nadeln erhöht sich bei 10000 Gauß und Zimmertemperatur der elektrische Widerstand bis auf den zwanzigfachen Wert. Da von der im Prozentbereich vorhandenen NiSb-Phase keine Dotierung des InSb erfolgt, läßt sich durch Zugabe von Tellur zur Schmelze die Leitfähigkeit beliebig einstellen. Für das Studium der physikalischen Eigenschaften von Halbleitern sowie für Bauelemente in der Technik wünscht man Kristalle mit einem definierten Gehalt an Fremdatomen als Donatoren, Akzeptoren, Rekombinationszentren oder Haftstellen. Unabhängig davon, welche Methode man für die Herstellung der Kristalle wählt, ist es nicht möglich, eine vollkommen statistische Verteilung der Fremdatome zu erhalten. Inhomogenitäten verursachen unerwünschte Effekte wie schlechte Kennlinien bei Gleichrichtern und Transistoren oder eine anisotrope Widerstandsänderung im Magnetfeld bei Substanzen mit hoher Elektronenbeweglichkeit der Ladungsträger. Inhomogenitäten existieren beispielsweise in der Form von periodisch angeordneten Schichten im Kristall, in denen Fremdatome angereichert sind. Inhomogenitäten sind deshalb unerwünscht, weil sie im allgemeinen auch als Inhomogenitäten nicht definiert sind und beim Herstellen der Kristalle nicht reproduzierbar beherrscht werden. Die ausgeprägteste Art von Inhomogenitäten zeigen Halbleiter mit Einschlüssen von zweiten Phasen, die im Grundmaterial nicht löslich sind. Hier kann man in gewissen Fällen definierte anisotrope Strukturen herstellen. In der vorliegenden Arbeit wird am Beispiel des Eutektikums InSb-NiSb gezeigt, daß der gerichtete Einbau elektrisch sehr gut leitender Phasen in einen Halbleiter mit hoher Elektronenbeweglichkeit zu interessanten anisotropen elektrischen Eigenschaften führt.