ISSN:
0392-6737
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto La probabilità di transizioneP(K, n) della reazione $$\left( {\begin{array}{*{20}c} {bieccitone} \\ K \\ \end{array} } \right)\begin{array}{*{20}c} \to \\ \leftarrow \\ \end{array} \left( {\begin{array}{*{20}c} {eccitone} \\ {K,n} \\ \end{array} } \right) + \left( {\begin{array}{*{20}c} {fotone} \\ {q \simeq 0} \\ \end{array} } \right)$$ è stata calcolata in semiconduttori a gap diretto per molti stati finali dell’eccitone (1s o 2p) rispetto all’energia cinetica bieccitonica. Si trova che la probabilitàP(K, n) diminuisce fortemente conK, mentre si considera come d’uso cheP(K, n) sia costante nell’analisi di molti esperimenti (luminescenza dei bieccitoni, formazione indotta di bieccitoni, misurazioni di guadagno della luce bieccitonica) sulla base di un semplice calcolo. La teoria della forma di linea usata in precedenti esperimenti è, perciò, non corretta, specialmente nei semiconduttori, con eccitone con piccola energia di legame (come CdSe o CdS). L’interpretazione precedentemente proposta della cosiddetta bandaM s in termini di bieccitoni in CdS o CdSe è molto opinabile sulla base di questo calcolo e di recenti esperimenti di luminescenza a risoluzione temporale in picosendi, che non possono essere analizzati nel modello a bieccitoni. Noi sosteniamo l’interpretazione di questa bandaM s in termini di polieccitoni legati e di luminescenza rudimentale in piccole quantità.
Abstract:
Резюме Вычисляется вероятность переходаP(K, n) для реакции в полупроводниках с непосредственной щелью для некоторых конечных состояний экситона (1s или 2p) в зависимости от кинетической энергии биэкситона. Оказывается, что вероятностьP(K, n) сильно уменьшается сK, тогда как обычно предполагалось, чтоP(K, n) является постоянной величиной при анализе многих экспериментов (люминесценция биэкситонов, индуцированное образование биэкситонов, измерение усиления свечения биэкситонов) на основе простого вычисления. Теория формы линии в вышеуказанных экспериментах является, следовательно, некорректной особенно в полупроводниках с экситоном с малой энергией связи (таких как CdSe или CdS). Ранее предложенная интерпретация так называемойM s зоны в терминах биэкситонов в CdS или CdSe является очень проблематичной на основе проведенных вычислений и недавних экспериментов по люминесценции с пикосекундным временным разрешением, которые не могут быть проанализированы в рамках биэкситонной модели. Мы подтверждаем интерпретацию этойM s эоны в терминах люминесценции связанных полиэкситонов и зародышей капель.
Notes:
Summary The transition probabilityP(K, n) of the reaction $$\left( {\begin{array}{*{20}c} {biexciton} \\ K \\ \end{array} } \right)\begin{array}{*{20}c} \to \\ \leftarrow \\ \end{array} \left( {\begin{array}{*{20}c} {exciton} \\ {K,n} \\ \end{array} } \right) + \left( {\begin{array}{*{20}c} {photon} \\ {q \simeq 0} \\ \end{array} } \right)$$ has been computed in direct-gap semiconductors for several final states of the exciton (1s or 2p)vs. the biexciton kinetic energy. The probabilityP(K, n) is found to decrease strongly withK, whereas it is usually assumed thatP(K, n) is constant in the analysis of many experiments (luminescence of biexcitons, induced formation of biexcitons, gain measurement of the biexciton light) on the basis of a simple calculation. The line shape theory used in the preceding experiments is, therefore, incorrect, especially in semiconductors with exciton of small binding energy (such as CdSe or CdS). The previously proposed interpretation of the so-calledM s band in terms of biexcitons in CdS or CdSe is very questionable on the basis of this calculation and recent picosecond-time-resolved luminescence experiments which cannot be analysed in the biexciton model. We support the interpretation of thisM s band in terms of bound polyexcitons and drop embryo luminescence.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02451232
Permalink
