Bibliothek

feed icon rss

Ihre E-Mail wurde erfolgreich gesendet. Bitte prüfen Sie Ihren Maileingang.

Leider ist ein Fehler beim E-Mail-Versand aufgetreten. Bitte versuchen Sie es erneut.

Vorgang fortführen?

Exportieren
  • 1
    Digitale Medien
    Digitale Medien
    Bradford : Emerald
    Compel 22 (2003), S. 205-230 
    ISSN: 0332-1649
    Quelle: Emerald Fulltext Archive Database 1994-2005
    Thema: Elektrotechnik, Elektronik, Nachrichtentechnik , Mathematik
    Notizen: In this paper, we solve by a finite difference upwinded method an extended hydrodynamic model for semiconductors, with viscous terms in the momentum equation. In particular, we consider the simulation of a one-dimensional n+-n?-n+ diode, whose solution exhibits at low temperatures strong discontinuities, and investigate the effect of the momentum viscosity on the shock waves. Numerical experiments, performed also on a two-dimensional test case, demonstrate that the numerical scheme, working on non-uniform grids, is suitable to describe solutions with strong variations in time and space. Well-posedness for the boundary conditions is discussed, and a linear stability estimate is established for the one-dimensional n+-n?-n+ diode benchmark problem.
    Materialart: Digitale Medien
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
  • 2
    Digitale Medien
    Digitale Medien
    New York, NY [u.a.] : Wiley-Blackwell
    Numerical Methods for Partial Differential Equations 13 (1997), S. 215-236 
    ISSN: 0749-159X
    Schlagwort(e): Mathematics and Statistics
    Quelle: Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
    Thema: Mathematik
    Notizen: We deal with the two-dimensional numerical solution of the Van Roosbroeck system, widely employed in modern semiconductor device simulation. Using the well-known Gummel's decoupled algorithm leads to the iterative solution of a nonlinear Poisson equation for the electric potential and two linearized continuity equations for the electron and hole current densities. The numerical approximation is based on the dual mixed formulation for a self-adjoint second-order elliptic operator by using the Raviart-Thomas (RT) finite elements of lowest degree on a triangular partition of the device domain. In this article, we propose a suitable variant of the RT method, based on the diagonalization of the element mass matrix. This is achieved by use of an appropriate numerical integration that eliminates the fluxes and gives rise to a cell-centered finite volume scheme for the scalar unknown with the same approximation properties of the mixed approach, but at a reduced computational cost. The above procedure suggests also a natural way to introduce in the frame of the classical Box Method (BM) suitable vector basis functions (edge elements) to represent the current field over each mesh triangle. This issue may be profitably employed both as a postprocessing tool, as well as a technique for solving the current continuity equations when source terms depending on the current itself are included in the mathematical model. Simulations of realistic semiconductor devices are then included to demonstrate the accuracy and stability of the new method. © 1997 John Wiley & Sons, Inc.
    Zusätzliches Material: 18 Ill.
    Materialart: Digitale Medien
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
  • 3
    Buch
    Buch
    New York u. a. :Springer,
    Titel: Numerical mathematics; 37
    Autor: Quarteroni, Alfio
    Beteiligte Person(en): Sacco, Riccardo , Saleri, Fausto
    Verlag: New York u. a. :Springer,
    Erscheinungsjahr: 2000
    Seiten: 654 S.
    Serie: Texts in applied mathematics 37
    Materialart: Buch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
  • 4
    Buch
    Buch
    Berlin ; Heidelberg ; New York ; Hong Kong ; London ; Milan ; Paris ; Tokyo :Springer,
    Titel: Scientific computing with MATLAB /; 2
    Autor: Quarteroni, Alfio
    Beteiligte Person(en): Saleri, Fausto
    Ausgabe: 1
    Verlag: Berlin ; Heidelberg ; New York ; Hong Kong ; London ; Milan ; Paris ; Tokyo :Springer,
    Erscheinungsjahr: 2003
    Seiten: IX, 257 S. : graph. Darst. ; 24 cm
    Serie: Texts in computational science and engineering 2
    ISBN: 3-540-44363-0
    Materialart: Buch
    Sprache: Englisch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
  • 5
    Buch
    Buch
    Berlin [u.a.] :Springer
    Titel: Numerische Mathematik /
    Autor: Quarteroni, Alfio
    Beteiligte Person(en): Sacco, Riccardo , Saleri, Fausto
    Originaltitel: Numerical mathematics 〈dt.〉
    Verlag: Berlin [u.a.] :Springer
    Serie: Springer-Lehrbuch
    Materialart: Buch
    Sprache: Deutsch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
  • 6
    Titel: Solving numerical PDE's : problems, applications, exercises
    Autor: Formaggia, Luca
    Beteiligte Person(en): Saleri, Fausto , Veneziani, Alessandro
    Verlag: Milan :Springer,
    Erscheinungsjahr: 2012
    Seiten: VIII, 395 S.
    ISBN: 978-88-470-2411-3
    Materialart: Buch
    Sprache: Englisch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
  • 7
    Buch
    Buch
    Berlin [u.a.] :Springer,
    Titel: Scientific computing with MATLAB and Octave /; 2
    Autor: Quarteroni, Alfio
    Beteiligte Person(en): Saleri, Fausto , Gervasio, Paola
    Ausgabe: 3. ed.
    Verlag: Berlin [u.a.] :Springer,
    Erscheinungsjahr: 2010
    Seiten: XVI, 360 S. : , graph. Darst. ; , 235 mm x 155 mm
    Serie: Texts in computational science and engineering 2
    ISBN: 978-3-642-12429-7 , 978-3-642-12430-3
    Materialart: Buch
    Sprache: Englisch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
Schließen ⊗
Diese Webseite nutzt Cookies und das Analyse-Tool Matomo. Weitere Informationen finden Sie hier...