ISSN:
0392-6737
Keywords:
Theory of electronic transport
;
scattering mechanisms
;
Conductivity phenomena in semi-conductors and insulators
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Gli esperimenti mostrano che la resistività di Hallρ xy dei cristalli massivi dell'InSe è quantizzata in multipli interi dih/e 2. L'effetto quantico di Hall nell'InSe è spiegato come risultato dei difetti del piano nei cristalli di InSe. Gli elettrodi nell'InSe massivo sono localizzati in questi difetti a basse temperature formando regioni con conduttività a 2 dimensioni. La concentrazione di elettroni in queste regioni èN 2D=2·1011 cm−2 e la loro mobilità μ=2·104 cm2/V·s.
Abstract:
Резюме Эксперименты показывают, что удельное сопротивление Холлаρ xy для кристаллов InSe квантуется и является кратнымh/e 2. Квантовый эффект Холла в InSe объясняется, как результат дефектов плоскости в кристаллах InSe. Электроны в кристаллах InSe локализуются на этих дефектах при низких температурах, образуя области с двумерной проводимостьу. Концентрация электронов в этих областях составляетN 2D ∼2·1011 см−2, а их подвижность μ=2·104 см2/В с.
Notes:
Summary Experiments show that the Hall resistivityρ xy of InSe bulk crystals is quantized into integer multiples ofh/e 2. Quantum Hall effect in InSe is explained as a result of plane defects in InSe crystals. The electrons in bulk InSe are localized at these defects at low temperatures forming regions with two-dimensional conductivity. Concentration of electrons in these regions isN 2D=2·1011 cm−2 and their mobility μ=2·104cm2/V·s.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02451012
Permalink
