ISSN:
0392-6737
Keywords:
Solid-solid interfaces (including by-crystals)
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto L'interfaccia CoSi2/Si (111) è stata studiata con la tecnica delle onde stazionarie di raggi X. Uno strato di CoSi2 spesso 49 Å è stato cresciuto epitassialmente su un substrato di Si (111) in condizioni di ultravuoto e caratterizzatoin situ con spettroscopia Auger e diffrazione di elettroni di bassa energia. La differenza di parametro reticolare perpendicolare tra epistrato e substrato è stata misurata per mezzo di diffrazione di raggi X a doppio cristallo. L'analisi con onde stazionarie di raggi X fornisce una chiara indicazione che gli atomi di cobalto hanno coordinazione cinque all'interfaccia.
Abstract:
Резюме С помощью техники стоячих рентгеновских волн исследуется граница раздела CoSi2/Si(III). Слой CoSi2 толщиной 49 Å эпитаксиально выращивается на подложке Si(III) в условиях глубокого вакуума и на месте исследуется с помощью Оже-спектроскопии и методом дифракции медленных электронов. Разница перпендикулярных параметров решетки для эпислоя и подложки измеряется с помощью дифракции рентгеновских лучей в двойном кристалле. Анализ рентгеновских стоячих волн ясно указывает на то, что атомы Со имеют пятикратное расположение на транице раздела.
Notes:
Summary The CoSi2/Si (111) interface has been studied with the X-ray standing-wave technique. The interface (a 49Å thick CoSi2 layer) has been epitaxially grown on Si (111) under ultrahigh vacuum andin situ characterized with Auger spectroscopy and low-energy electron diffraction. The perpendicular lattice mismatch between epilayer and substrate has been measured with double-crystal X-ray diffraction. The X-ray standing-wave analysis gives clear indication that the Co atoms are fivefold coordinated at the interface.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02451108
Permalink