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  • 1960-1964  (7)
  • 1
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    Springer
    Zeitschrift für angewandte Mathematik und Physik 15 (1964), S. 662-666 
    ISSN: 1420-9039
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Mathematics , Physics
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 2
    Electronic Resource
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    Springer
    Journal of neurology 181 (1960), S. 203-216 
    ISSN: 1432-1459
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Medicine
    Notes: Zusammenfassung Nach dem Hinweis auf die problematische Stellung der chronischen progressiven Ophthalmoplegia externa Graefe wird über einen Fall berichtet, der durch klinische und histologische Untersuchungen als oculäre Muskeldystrophie aufgeklärt werden konnte. Die diagnostische Abklärung war durch eine allgemeine körperliche Abmagerung und fragliche diphtherietoxische Lähmungen erschwert. Die klinischen Besonderheiten und differentialdiagnostischen Erwägungen werden ausführlich diskutiert.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 3
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    Springer
    Naturwissenschaften 50 (1963), S. 724-724 
    ISSN: 1432-1904
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Biology , Chemistry and Pharmacology , Natural Sciences in General
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 4
    ISSN: 1432-2013
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Medicine
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 5
    Electronic Resource
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    Springer
    The European physical journal 1 (1963), S. 367-393 
    ISSN: 1434-6036
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Résumé On décrit une technique de préparation permettant, au moyen de l’évaporation par champ, de nettoyer la surface de pointes fines de Silicium sans en altérer la dotation. La mesure de l’émission froide à différentes dotations et températures fournit des résultats qui sont en désaccord evec les théories existantes: le travail de sortie apparent est d’autant plus petit que le niveau de Fermi se situe, à l’intérieur du crystal, plus près de la bande de valence. La quantification des niveaux d’énergie pour les électrons retenus dans la zone de charge spatiale fournit une explication qualitative à cette corrélation. Les surfaces préalablement soumises à l’évaporation par champ possèdent moins de 5 · 1012 accepteurs superficiels par cm2. Les expériences ne fournissent pas d’information sur les doneurs superficiels.
    Abstract: Abstract Field evaporation of silicon surfaces was rendered possible through the use of suitable preliminary treatment. One thereby obtains an atomically clean surface with unchanged doping of the material. The experimental results of field emission from silicon do not agree with theoretical predictions. There is a correlation between the Fermi-level in the bulk and the apparent work function: the latter is high when the Fermi-level is near the conduction band, and lower when the Fermi-level approaches the valence band. This behaviour may be explained qualitatively through quantisation of the electron states in the space-charge region. Surfaces subjected to field evaporation have less than 5 · 1012 acceptor surface states/cm2 in the energy gap. The experiment provides no information about surface donors.
    Notes: Zusammenfassung Es wird eine Präparationstechnik beschrieben, die es erlaubt, mit Feldverdampfen in Hochvakuum die Oberfläche von Siliziumspitzen zu reinigen, ohne die Dotierung des Materials zu verändern. Die Messung der Feldemission aus Silizium bei verschiedenen Dotierungen und Temperaturen ergab Resultate, die mit den vorhandenen Theorien nicht erklärt werden können: die scheinbare Austrittsarbeit wird um so kleiner, je näher im Innern des Kristalls das Fermi-Niveau am Valenzband liegt. Dieser Zusammenhang kann mit Hilfe der bisher vernachlässigten Quantisierung der Elektronenzustände in der Raumladungszone qualitativ erklärt werden. An der durch Feldverdampfen gereinigten Oberfläche sind weniger als 5 · 1012 Acceptoren/cm2 vorhanden. Über Oberflächendonatoren liefern die Experimente keine Aussage.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 6
    Electronic Resource
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    Springer
    The European physical journal 1 (1962), S. 37-66 
    ISSN: 1434-6036
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Résumé A partir des valeurs expérimentales de la susceptibilité magnétiqueχ de plusieurs éléments des groupes B (Tab. 2 et 3), on deduit la contributionχ e des électrons périfériques. On peut remarquer que ces valeursχ e des élements Bliquides sont réparties d'une façon systématique dans le tableau périodique (Tab. 4). La plupart de ces valeurs peuvent être interprétées immédiatement a l'aide de théories simplifiées (terme de Lamor-Langevin pour les liquides non-métalliques, terme de Pauli-Landau des électronslibres pour les métaux liquides). Plusieurs cas compliqués (p. ex. Te fondu) sont explicables sur la base de la liaison chimique. En plus deχ e, la dépendance de la susceptibilité en fonction de la température ainsi que sa variation a la fusion sont discutées en détail (Tab. 6 et 7).
    Abstract: Abstract From experimental data of the magnetic susceptibilityχ for various B-elements (Tab. 2 and 3) the contributionχ e from electrons of the outer shell has been derived. Theχ e-values of theliquid B-elements are found to be distributed systematically in the periodic table (Tab. 4). Most of these values can readily be interpreted by simplified theories (Larmor-Langevin-term for non-metallic, Pauli-Landau-term offree electrons for metallic melts). Some complicated cases (e.g. liquid Te) can be explained by considering the chemical bond. Besidesχ e, the temperature dependency of the susceptibility and its change by melting are discussed in detail (Tab. 6 and 7).
    Notes: Zusammenfassung Aus experimentellen Daten der magnetischen Suszeptibilitätχ verschiedener B-Elemente (Tab. 2 und 3) wurde der Beitragχ e der Außenelektronen abgespalten. Ordnet man dieχ e-Werteflüssiger B-Elemente im periodischen System ein, so ergibt sich eine deutliche Systematik (Tab. 4). Die meistenχ e-Werte lassen sich bereits mit vereinfachten Theorien interpretieren (Larmor-Langevin-Term für nicht-metallische, Pauli-Landau-Term derfreien Elektronen für metallische Schmelzen). Einige komplizierte Fälle (z. B. flüssiges Te) sind auf Grund der chemischen Bindung erklärbar. Außerχ e wurden die Temperaturabhängigkeit der Suszeptibilität sowie ihre Änderung beim Schmelzen eingehend diskutiert (Tab. 6 und 7).
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 7
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    Springer
    The European physical journal 1 (1962), S. 78-104 
    ISSN: 1434-6036
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Abstract An apparatus is described for measuring the Hall effect and the electrical resistivity of molten metals and semiconductors, based on a cross-modulation method with alternating magnetic and electric fields. A quarz sample holder with five graphite electrodes may be used at temperatures up to 1000°C. The results of experiments for Na, Zn, Cd, Hg, Ga, Ge and Sb are consistent with the values given by the free-electron model. The calculated electronic mobilities are in agreement with measured values. The addition of small quantities of impurities (〈1% Sb) into molten Te does not affect its electrical properties.
    Abstract: Zusammenfassung Eine empfindliche Wechselfeld-Wechselstrom-Apparatur zur Messung des Hall-Effektes und des elektrischen Widerstandes von geschmolzenen Metallen und Halbleitern wird beschrieben. Der Probenhalter aus Quarz mit fünf Graphitsonden kann bis 1000°C benutzt werden. Die Messungen für Na, Zn, Cd, Hg, Ga, Ge und Sb können erklärt werden mit dem Modell freier Elektronen. Die berechneten Werte der Elektronen-Beweglichkeiten stimmen mit den gemessenen überein. Die elektrischen Eigenschaften des flüssigen Te sind unabhängig von kleinen Verunreinigungskonzentrationen (〈1% Sb).
    Notes: Résumé On donne la description d'un appareillage pour la mesure de l'effet Hall et de la résistivité électrique de métaux et semiconducteurs fondus. La méthode est basée sur la multiplication d'un champ magnétique et d'un courant alternatifs. Une cellule de mesure en silice avec cinq électrodes de graphite permet d'atteindre 1000°C. Les résultats obtenus pour Na, Zn, Cd, Hg, Ga, Ge et Sb sont explicables au moyen du modèle de l'électron libre. Les mobilités électroniques calculées correspondent aux valeurs mesurées. L'addition d'impuretés (〈1% Sb) dans le Te liquide n'a aucune influence sur ses propriétés électriques.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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