ISSN:
0933-5137
Schlagwort(e):
Chemistry
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Polymer and Materials Science
Quelle:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Thema:
Maschinenbau
Beschreibung / Inhaltsverzeichnis:
Microstructural characteristics of different as-received SiC-whiskers, continuous polymer-derived as well as CVD processed SiC-based fibers and C-fibers were evaluated in an interdisciplinary approach including X-ray diffraction, scanning electron microscopy, analytical transmission electron microscopy and surface analytical methods (AES, XPS). It was found necessary to compare the chemical information collected from small volumes of the micro-structure to analytical data from bulk composition in order to receive a coherent picture of the complex impurity distribution in ceramic toughening components. This is particularly true for SiC-whiskers where both structural homogeneity and chemical purity are strongly related to growth conditions. SiC-based fibers were established as polyphase, non-stoichiometric components too. Their toughening potential in all ceramic composites is partly sacrificed because of excessive SiC grain growth under high-temperature processing conditions which results in a significant strength reduction.
Notizen:
Verschiedene SiC-Whisker sowie Polymer- bzw. CVD-SiC Fasern und C-Fasern wurden im Anlieferungszustand mittels Röntgendiffraktometrie, Rasterelektronenmikroskopie, analytischer Transmissionselektronenmikroskopie sowie oberflächenanalytischer Methoden (AES, XPS) mikrostrukturell untersucht. Bei der Erfassung der Verunreinigungsverteilung in keramischen Verstärkungskomponenten erwies sich die chemische Pauschalanalyse als sinnvolle Ergänzung zu den ortsauflösenden Methoden. Das gilt insbesondere für SiC-Whisker, bei denen Strukturzustand und Reinheitsgrad deutlich von den Wachstumsbedingungen abhängen. Die untersuchten Fasern auf SiC-Basis erwiesen sich ebenfalls als mehrphasige, nichtstöchiometrische Komponenten. Ihr Verstärkungspotential in keramischen Verbundwerkstoffen kann nicht voll ausgeschöpft werden, weil intensives SiC-Kornwachstum bei hohen Temperaturen zu einem deutlichen Festigkeitsabfall führt.
Zusätzliches Material:
13 Ill.
Materialart:
Digitale Medien
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/mawe.19900210307
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