Beiträge zur Elektronik an natürlichen Spaltflächen von Metalleinkristallen

Zusammenfassung

Die Spaltung von Metalleinkristallen im Hochvakuum ist ein Weg, um auf einwandfreie Weise den Einfluß der Kristallorientierung auf das elektronische Verhalten verschiedener Grenzflächen zu beobachten. Es wird gezeigt, daß die Spaltflächen eine Oberflächenreinheit aufweisen, die jener von hochvakuumdestillierten Schichten mindestens gleichwertig ist. Die lichtelektrische Beobachtung der „Ermüdungsgeschwindigkeit“ einer im optimalen Vakuum frisch erzeugten (0001)-Bruchfläche eines Zinkeinkristalls zeigt, daß bei einem Vakuum von etwa 10⁻⁷ mm Hg Messungen möglich sind, die — unter der Voraussetzung eines monotonen Kurvenverlaufes — auf den Zustand größter Oberflächenreinheit extrapolieren lassen. Die Grenzwellenlänge der (0001)-Ebene des Zinkkristalls beim Druck von 10⁻⁵ mm Hg betrug 290 ± 0,7 mμ, die zugeordnete Austrittsarbeit 4,26 e-Volt.