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Änderung der sekundären Elektronenemission von Isolatoren und Halbleitern durch Elektronenbestrahlung

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Literatur

  1. M. Knoll, Z. techn. Physik16, 467 (1935).

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  2. In Übereinstimmung mit den Ergebnissen vonSuhrmann undHaiduk [Z. Physik96, 726 (1935)], die an elektronenbestrahlten Halbleiteroberflächen durch Elektronenbeugung eine wesentliche Veränderung der Gitterstruktur feststellen konnten.

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Knoll, M. Änderung der sekundären Elektronenemission von Isolatoren und Halbleitern durch Elektronenbestrahlung. Naturwissenschaften 24, 345 (1936). https://doi.org/10.1007/BF01483562

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF01483562

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