Die Sperrschichtkapazität des legierten Germanium-Indium-Gleichrichters

Zusammenfassung

Die Kapazität von Halbleiterkontakten, bei denen sowohl Elektronen als auch Defektelektronen eine Rolle spielen, setzt sich grundsätzlich aus drei Anteilen zusammen: Der erste rührt her von der Raumladung der Störstellen in der Sperrschicht, der zweite von der Raumladung der Elektronen bzw. Defektelektronen in der Inversionsschicht. Drittens erzeugt der Injektionsmechanismus eine Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung, die sich wie eine Kapazität äußert.

Es wird versucht, am Beispiel des legierten Germanium-Indium-Gleichrichters das Zustandekommen der beiden letzten Anteile anschaulich zu deuten.

Die durchgeführten Kapazitätsmessungen an Gleichrichtern dieses Typs zeigen zwischen der differentiellen KapazitätC und der SperrspannungU eine Beziehung der Form 1/C ²=const.(U+U ₀), wobeiU ₀ schwach spannungsabhängig ist. Die Messungen lassen sich durch Annahme einer Inversionsschicht deuten.