References
R. M. Park, M. B. Troffer, C. M. Rouleau, J. M. Depuydtand M. A. Haase, Appl. Phys. Lett. 57(1990) 2127.
M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydtand H. Cheng, ibid. 59(1991) 1272.
S. Guha, H. Munekata, F. K. Legoues and L. L. Chang, ibid. 60(1992) 3220.
L. H. Kuo, L. Salamanca-riba, J. M. Depuydt, H. Chengand J. Qiu, ibid. 63(1993) 3197.
Z. Zhu, T. Ebisutani, K. Takebayashi, K. Tanakaand T. Yao, ibid. 64(1994) 1833.
L. H. Kuo, K. Kimura, T. Yasuda, S. Miwa, C. G. Jin, K. Tanakaand T. Yao, ibid. 68(1996) 2413.
M. Drechsler, B. K. Meyer, D. M. Hofmann, P. Ruppertand D. Hommel, ibid. 71(1997) 1116.
K. K. Fung, N. Wangand I. K. Sou, ibid. 71(1997) 1225.
S. Ruvimov, E. O. Bourret, J. Washburn and Z. Liliental-weber, ibid. 68(1996) 346.
B. J. Wu, G. M. Haugen, J. M. Depuydt, L. H. Kuoand L. Salamanca-riba, ibid. 68 (1996) 2828.
K. K. Fung, N. Wangand I. K. Sou, ibid. 71(1997) 1225.
S. J. Pearton, J. W. Corbettand T. S. Shi, Appl. Phys. A 43(1987) 153.
M. D. Kim, T. W. Kang, J. M. Kim, H. K. Kim, Y. T. Joungand T. W. Kim, J. Appl. Phys. 73(1993) 4077.
S. M. Sze “VLSI technology” (McGraw-Hill, New York, 1988).
Idem., “Physics of semiconductor devices, 2nd edn” (John Wiley & Sons, New York, 1981).
I. Suemune, Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 2612.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Kim, M.D., Park, H.S. & Kim, T.W. Effect of Hydrogenation and Thermal Annealing on the Electrical Properties of Au/p–ZnSe/n–GaAs Diodes. Journal of Materials Science Letters 18, 467–469 (1999). https://doi.org/10.1023/A:1006642430837
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1023/A:1006642430837