Photoconductivity and photosensitivity of a CdIn₂S₄ monocrystal

Summary

Photoconductivity spectra for a CdIn₂S₄ halogen transport-grown crystal were recorded at RT with different levels of sulphur annealing, in order to understand the remarkable differences obtained by previous workers. Comparing our results with recent theoretical calculations of band structure and recent absorption studies, we conclude that excess sulphur plays a prominent role on the photosensitivity of this material and that it probably was the main cause of the different reported values of band gap transition.

Riassunto

Gli spettri di conduttività per un cristallo, accresciuto per trasporto di alogeno, di CdIn₂S₄ sono stati registrati a RT con diversi livelli di tempra di zolfo, allo scopo di comprendere le rimarchevoli differenze ottenute da altri studiosi. Confrontando i nostri risultati con recenti calcoli teorici della struttura di banda e recenti studi sull'assorbimento, si conclude che l'eccesso di zolfo svolge un ruolo prominente nella fotosensibilità di questo materiale e che ciò è probabilmente la principale causa dei differenti valori riportati della transizione del gap di banda.

Резюме

Исследуются спектры фотопроводимости CdIn₂S₄ при комнатной температуре с разлчными отжига серы, чтобы понять различия, полученные в предыдущих работах. Сравнивая наши результаты с недавними теоретичрскими вычисления зонной структуры и исследованиями поглощения, мы делаем вывод, что избыток серы играет существенную роль в фоточувствительноьти этих соединений и, по-видимому, является основной причиной различных значений ширины запрещенной зоны.