Untersuchung der Sperrfähigkeit hochsperrender p⁺ n-Strukturen mit mesa-förmiger und inverser Randstufe

Übersicht

Es werden die Ergebnisse von Sperrspannungsberechnungen an zwei unterschiedlichenp ⁺ n-Strukturen vorgestellt. Die Resultate werden durch Lösung der zweidimensionalen Poisson-Gleichung mit der Methode der finiten Differenzen erzielt. In einer umfangreichen Parameterstudie werden Strukturen mit einer mesa-artigen Randkontur und Strukturen mit inverser Randstufe untersucht. Besondere Aufmerksamkeit gilt dem Einfluß von positiven Oberflächenladungen auf die Sperrfähigkeit. Daneben werden auch verschiedene geometrische Parameter studiert, deren Einfluß für die Anwendung der genannten Strukturen in Thyristoren bedeutsam sein kann.

Contents

The results of breakdown voltage calculations of two differentp ⁺ ndevices are shown. The calculations are based on the numerical solution of Poisson's equation. Devices with a mesa-like edgecontour and devices with an inverse mesa contour are investigated by an extensive variation of parameters. Special attention is given to the influence of surface charge on the blocking behaviour. Moreover several geometrical parameters are examined, which are important for the fabrication of thyristors.