Neue Einbautechniken für Millimeterwellenbauelemente

Übersicht

Der Entwurf und die Herstellung von GaAs Millimeterwellen-Modulen zur Leistungserzeugung mit aktiven Zweipol-Bauelementen werden vorgestellt. Anstelle eines konventionellen Einbaus mit Quarzringen und Goldbändern wird das Bauelement monolithisch in eine Struktur aus semiisolierendem GaAs-Substrat integriert. Die Herstellung wird mit Hilfe der Photolacktechnologie vorgenommen, wodurch eine hohe Reproduzierbarkeit der parasitären Reaktanzen erreicht wird. Module mit IMPATT Dioden als aktive Buelemente wurden im Frequenzbereich bis zu 110 GHz mit Erfolg eingesetzt.

Contents

The design and fabrication of GaAs mm-wave modules for power generation using active two-terminal devices are described. Instead of a conventional encapsulation with quartz rings and gold ribbons the devices are monolithically integrated into a structure of semiinsulating GaAs substrate. The fabrication is performed by the help of photoresist technology, wherefrom a high reproducibility of the parasitic reactances is achieved. Modules with IMPATT diodes as active elements are applied successfully up to frequencies of 110 GHz.