ISSN:
0392-6737
Keywords:
Electron microscopy determinations
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Nel presente lavoro si mostrano alcuni risultati riguardanti lo studio del danno provocato dal bombardamento con Ar+ durante l'assottigliamento di campioni di GaAs impiantato con Si+. Gli effetti prodotti da tale tecnica sono stati osservati e valutati su sezioni trasversali dei campioni tramite microscopia elettronica ad alta risoluzione (HRTEM).
Abstract:
Резюме Приводятся результаты исследования влияния Ar+-бомбаровки в процессе утончения кристаллов GaAs, имплантированных Si+. Используя трансмиссионную электронную микроскопию высокого разрешения, оцениваются эффекты, связанные с разупорядочением слоев при Ar+-бомбардировке.
Notes:
Summary The results obtained by cross-sectional technique applied to Si+-implanted GaAs crystals, thinned by Ar+-milling, are presented. The effects of the disordered layers produced by Ar+-milling have been estimated through high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM).
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02450100
