ISSN:
0933-5137
Keywords:
Chemistry
;
Polymer and Materials Science
Source:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Topics:
Mechanical Engineering, Materials Science, Production Engineering, Mining and Metallurgy, Traffic Engineering, Precision Mechanics
Description / Table of Contents:
Stress anisotropy and structure of TiN thin filmsIn many sputtering processes the substrate is rotated or periodically moved with respect to the target in order to obtain a homogeneous film deposition. In that case anisotropic conditions of film growth exist which lead to anisotropic mechanical stresses. The stress anisotropy depends on the carrier velocity and can be attributed to the film structure. The stress measurements, therefore, will be related to measurements of composition by SNMS, to determination of stoichiometry by ellipsometry and to investigations of structure by X-ray diffraction.
Notes:
Bei Sputterprozessen wird häufig das Substrat unter dem Sputtertarget rotiert oder hin- und herbewegt, um eine gleichmäßige Beschichtung zu erzielen. In dieser Arbeit wird gezeigt, daß dabei anisotrope Wachstumsbedingungen bestehen, die zu anisotropen mechanischen Spannungen führen. Die Größe der Spannungsanisotropie hängt von der Transportgeschwindigkeit ab und läßt sich durch die dabei erzeugte Schichtstruktur interpretieren. Die Messungen der Schichtspannungen werden deshalb korreliert mit der Bestimmung der Zusammensetzung mit SNMS, mit Untersuchungen der Stöchiometrie mit Hilfe von ellipsometrischen Messungen sowie mit Untersuchungen der Schichtstruktur mit Hilfe von Röntgenbeugung.
Additional Material:
8 Ill.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/mawe.19980290906
Permalink
