ISSN:
0392-6737
Keywords:
Impurity and defect absorption in solids
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Le nostre indagini di livelli di accettori profondi, uno correlato al ferro e due correlati al rame nella lega semiconduttrice AlGaAs, mostra che le energie della soglia ottica hanno la stessa dipendenza lineare dalla composizione in tutti e tre i livelli. II particolare comportamento transitorio non esponenziale per l'emissione termica dei portatori può essere spiegata da un modello in cui i livelli di energia sono allargati. Si suggerisce un meccanismo di allargamento dovuto al miscelamento casuale.
Abstract:
Резюме Наши исследования одного железного и двух медных глубоких акцепторных уровней в полупроводниковых сплавах AlGaAs показывают, что оптические пороговые энергии имеют ту же линейную зависимость от состава для всех трех уровней. Конкретное неэкспоненциальное переходное поведение для теплового излучения носитей может быть обьяснено с помощью модели, в которой энергетические уровни уширены. Предполагается механизм уширения, обусловленный неупорядоченностью сплава.
Notes:
Summary Our investigations of one iron- and two copper-related deep acceptor levels in the semiconductor alloy AlGaAs show that the opticalthreshold energies have the same linear composition dependence for all three levels. The particular nonexponential transient behaviour for thermal emission of carriers can be explained by a model in which the energy levels are broadened. A broadening mechanism due to random alloying is suggested.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02457856
Permalink
