ISSN:
1432-1181
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Mechanical Engineering, Materials Science, Production Engineering, Mining and Metallurgy, Traffic Engineering, Precision Mechanics
,
Physics
Description / Table of Contents:
Zusammenfassung Strömungen in horizontalen Rohrleitungen, die für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von unten beheizt werden, spielen eine wichtige Rolle bei der Erzeugung von dünnen Halbleiterschichten. Jedoch verhindert die Entstehung von Benard-Zellen, daß Schichten gleichmäßiger Dichte wachsen. Das Ziel der vorliegenden Arbeit besteht in der Ermittlung der Verhältnisse für ein mittleres zeitlich gleichmäßiges Wachstum der Schicht auf dem Boden einer rechteckigen CVD-Rohrleitung. Um die günstigsten Verhältnisse zu ermitteln, wurden experimentelle Studien mit verschiedenen Temperaturen auf den Seitenwänden der Rohrleitung durchgeführt. Strömungen im chaotischen Zustand können zu einer gleichmäßigen Verteilung der horizontalen Temperaturen und damit zu einem gleichmäßigen Wachstum von Halbleiterschichten führen.
Notes:
Abstract Flows in horizontal chemical vapor deposition (CVD) ducts heated from below play an important role for manufacturing thin semiconductor layers. However, the formation of Benard cells prevents the growth of layers of uniform thickness. The present paper aims at finding conditions for time-mean uniform growth of the layer on the bottom of a rectangular CVD duct of aspect ratio 2 and heated from below. Experimental studies of various side wall temperature distributions were performed to identify conditions appropriate for controlling the Benard cells. It was found that flows in the chaotic state can provide the uniform horizontal temperature distribution preferable for the uniform growth of semiconductor layers.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01589916
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