ISSN:
1572-9486
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Zusammenfassung Eine allgemeine Gleichung der Rekombinationsverluste in p-i-n-Detektoren wurde abgeleitet, die bei Kenntnis der Lebensdauer der Ladungsträger in der i-Schicht gestattet, diese Rekombinationsverluste zu berechnen. Für einzelne Fälle von Teilchenbahnen wurden vereinfachte Beziehungen gefunden. Das Impulsspektrum bei Querbestrahlung wurde theoretisch abgeleitet und experimentell nachgewiesen. Einige Meßmethoden der Lebensdauer und Beweglichkeit von Ladungsträgern in p-i-n-Detektoren wurden auf Grund der Spannungsabhängigkeit der Rekombinationsverluste und der Durchlaufzeit entwickelt. Erstaunlich sind die gefundenen niedrigen Werte der Lebensdauern unter 2 μs, die auf Rekombinationszentren in den Silizium-i-Schichten hinweisen. Die Rekombinationsverluste wurden auch zur Messung der Homogenität von p-i-n-Detektoren herangezogen. Es wurden die statistischen Schwankungen der Rekombinationsverluste, Oberflächenrekombination sowie Temperatur- und Spannungsabhängigkeit der Impulsspektren qualitativ untersucht und über einige experimentelle Ergebnisse berichtet.
Notes:
Abstract The general solution for the recombination losses was derivsd and some simpler equations for the different cases of irradiation were found. The theoretical spectrum of pulses for irradiation perpendicular to the field as a result of the general solution was proved experimentally. Some new methods of measuring the lifetime and mobility in p-i-n-type counters by means of the voltage dependence of the recombination losses and the transit time and new methods of measuring the detector homogeneity were developed. Different influences on the fluctuations of recombination losses and energy resolution, surface recombination, and the voltage and temperature dependence of the pulse spectra are treated in turn.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01689570
Permalink
