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  • Artikel: DFG Deutsche Nationallizenzen  (3)
  • 61.70.Tm  (2)
  • Polymer and Materials Science  (1)
Datenquelle
  • Artikel: DFG Deutsche Nationallizenzen  (3)
Materialart
Erscheinungszeitraum
Schlagwörter
  • 1
    Digitale Medien
    Digitale Medien
    Annealing behaviour of C-implanted α-Hf (1986)
    Springer
    Applied physics 40 (1986), S. 253-256 
    Details
    ISSN: 1432-0630
    Schlagwort(e): 66.30.Jt ; 61.70.Tm
    Quelle: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Thema: Maschinenbau , Physik
    Notizen: Abstract The annealing behaviour of C in the group IVa metal Hf has been studied in the previously uninvestigated temperature range 650–800°C using ion-beam techniques. Diffusion couples were created by ion implantation. The time evolution of the carbon profiles were monitored by the use of the Nuclear Resonance Broadening (NRB) technique. The linear Arrhenius plot extracted from the measurements indicates that the diffusivity of implanted C in polycrystalline h.c.p. α-Hf can be described by the activation energyQ=3.9±0.2 eV and the pre-exponential factor D0=(50± 47 120 )×105 cm2/s. The implanted distributions were used to determine the solubility of C in α-Hf for the first time.
    Materialart: Digitale Medien
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00616603
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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    Volltext
  • 2
    Digitale Medien
    Digitale Medien
    Diffusion of Al in ion-implanted α-Zr and α-Hf (1985)
    Springer
    Applied physics 36 (1985), S. 175-178 
    Details
    ISSN: 1432-0630
    Schlagwort(e): 66.30.Jt ; 61.70.Tm
    Quelle: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Thema: Maschinenbau , Physik
    Notizen: Abstract The diffusion of Al in the group IVa metals Zr and Hf has been studied for the first time in the temperature ranges 600°–800°C (Zr) and 750°–900°C (Hf) using ion-beam techniques. Diffusion couples were created by ion-implantation. The time-dependent diffusion profiles were monitored by the use of the Nuclear Resonance Broadening (NRB) technique. The linear Arrhenius plots extracted from the measured diffusivities indicate that the diffusivity of implanted Al in Zr and Hf can be described by the activation energyQ=2.9±0.2eV and 3.7±0.3eV and the pre-exponential factorD 0=17±42cm2/s and 170±600cm2/s, respectively.
    Materialart: Digitale Medien
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00616548
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 3
    Digitale Medien
    Digitale Medien
    Damage production in hydrogen-implanted silicon (1988)
    Chichester [u.a.] : Wiley-Blackwell
    Surface and Interface Analysis 12 (1988), S. 325-326 
    Details
    ISSN: 0142-2421
    Schlagwort(e): Chemistry ; Polymer and Materials Science
    Quelle: Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
    Thema: Physik
    Materialart: Digitale Medien
    URL: http://dx.doi.org/10.1002/sia.740120513
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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