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    Digitale Medien
    Digitale Medien
    The Impact of Chemical-Mechanical Polishing on Defective 4H-SiC Schottky Barrier Diodes (2008)
    s.l. ; Stafa-Zurich, Switzerland
    Materials science forum Vol. 600-603 (Sept. 2008), p. 827-830 
    Details
    ISSN: 1662-9752
    Quelle: Scientific.Net: Materials Science & Technology / Trans Tech Publications Archiv 1984-2008
    Thema: Maschinenbau
    Notizen: In this article, the correlation of surface morphological defects and barrier-heightinhomogeneities with the electrical characteristics of defective 4H-SiC Schottky barrier diodes(SBDs) before and after chemical-mechanical polishing (CMP) is investigated. The forwardcharacteristics, an ideality factor and a single barrier height of a SBD, remain the same after CMP,so that CMP does not affect SBD characteristics. Most barrier-height inhomogeneities areeliminated or improved after CMP. Therefore, leakage current induced by barrier-heightinhomogeneities are improved by CMP as well. In addition, about 40% of SBDs with carrots insidethe active areas exhibits double barriers before CMP. This excludes that carrots are a cause ofbarrier-height inhomogeneities. In reverse-bias mode, CMP reduces reverse leakage current at lowbias and increases breakdown voltage due to the reduction of thermionic field emission andelimination of local enhanced electric fields
    Materialart: Digitale Medien
    URL: http://www.tib-hannover.de/fulltexts/2011/0528/02/20/transtech_doi~10.4028%252Fwww.scientific.net%252FMSF.600-603.827.pdf
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