ISSN:
0044-2313
Schlagwort(e):
Chemistry
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Inorganic Chemistry
Quelle:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Thema:
Chemie und Pharmazie
Beschreibung / Inhaltsverzeichnis:
Thermodynamische Analyse des Transports von Verunreinigungen über die Halogenide beim epitaktischen Wachstum von InPEine thermodynamische Berechnung der am chemischen Transport von InP beteiligten Gleichgewichte wird durchgeführt bei 1000 und bei 900°K für das System In/P/X/H (X = J, Cl). Der Partialdruck von InX3 wird als vernachlässigbar gefunden. Eine thermodynamische Analyse zum Mittransport verschiedener Verunreinigungen (Si, Ge, Sn, Pb, Zn, Cd, Mg, Cu, Mn, Al, Ga, S, Se und Te) beim epitaktischen Wachstum von InP durch die Kurzwegtransportmethode wird vorgenommen. Eine große Transportwahrscheinlichkeit wird für S und Ga gefunden, während für die Elemente Si, Zn, Cd, Mg, Cu, Se und Te keine Möglichkeit zum Mittransport besteht. Transportmöglichkeiten für Ge, Sn, Pb, Mn und Al durch verschiedene chemische Reaktionen werden gefunden.
Notizen:
A thermodynamic computation of the chemical equilibria that participate to the transport of InP by vapor phase chemical reactions is made for the system In/P/X/H (X = I, Cl) at 1000 and 900°K. The partial pressure of the InX3 species is found to be negligible. A thermodynamic analysis of the chemical reactions involved in the transport of various impurities (Si, Ge, Sn, Pb, Zn, Cd, Mg, Cu, Mn, Al, Ga, S, Se and Te) during the InP epitaxial growth by the close-spaced method is presented. A large transport probability is found for S and Ga. No transport possibilities are found for the elements: Si, Zn, Cd, Mg, Cu, Se and Te. Transport possibilities through various chemical reactions are found for Ge, Sn, Pb, Mn and Al.
Zusätzliches Material:
7 Tab.
Materialart:
Digitale Medien
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19744070110
