Bibliothek

Ihre E-Mail wurde erfolgreich gesendet. Bitte prüfen Sie Ihren Maileingang.

Leider ist ein Fehler beim E-Mail-Versand aufgetreten. Bitte versuchen Sie es erneut.

Vorgang fortführen?

Exportieren
  • 1
    Digitale Medien
    Digitale Medien
    Woodbury, NY : American Institute of Physics (AIP)
    Applied Physics Letters 69 (1996), S. 1471-1473 
    ISSN: 1077-3118
    Quelle: AIP Digital Archive
    Thema: Physik
    Notizen: The plasma induced charging of surfaces in a plasma during semiconductor processing has been measured noninvasively using microelectromechanical devices. We have designed, modeled, and fabricated microcantilevers to act as charge sensing probes. The devices exhibit a mechanical deformation when charged, which is probed in situ by optical techniques, or measured by optical inspection after removal from plasma. Charging voltage measurements in a parallel-plate reactive-ion-etching reactor show that more charging is evident at the electrode edge, and that the charging is a strong function of input rf power, chamber pressure, and flow rate of gases. © 1996 American Institute of Physics.
    Materialart: Digitale Medien
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
Schließen ⊗
Diese Webseite nutzt Cookies und das Analyse-Tool Matomo. Weitere Informationen finden Sie hier...