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    Electronic Resource
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    Calculation of the electrical properties of pin power diodes at high current densities by the method of finite elements (1982)
    Springer
    Electrical engineering 65 (1982), S. 133-138 
    Details
    ISSN: 1432-0487
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
    Description / Table of Contents: Übersicht In dieser Arbeit wird die Methode der finiten Elemente zur numerischen Lösung der Transportgleichung im Mittelgebiet einer pin-Diode angewandt. Dabei werden Quasineutralität in deri-Zone und konstante Rekombinationsparameter in den Endgebieten vorausgesetzt. Bei statischer Belastung der pin-Diode wurde der Einfluß der Hochinjektionseffekte—zunächst einzeln und dann gemeinsam—auf die Trägerverteilung bei 3000 A/cm2 und auf die Stromspannungskennlinie untersucht. Die Träger-Träger-Streuung ergibt den größten Beitrag zur Erhöhung der Durchlaßspannung von pin-Dioden. Daneben spielt die Endzonenrekombination ebenfalls eine bedeutende Rolle. Die Auger-Rekombination macht sich erst bei schr hohen Stromdichten stark bemerkbar.
    Notes: Contents In the presented paper the method of finite elements has been used to determine the solution of the transport equation in the middle region of pin diodes. Quasineutrality in thei-region and constant recombination parameters in the end regions have been assumed. Under static conditions the influence of the high injection effects—first separately and then combined—on the carrier distribution at 3000 A/cm2 and on the current voltage characteristic has been studied. The carrier-carrier scattering produces the highest increase of the forward voltage drop of pin diodes. The recombination in the end regions plays a significant role too, while the Auger recombination becomes important mainly at extremly high current densitics.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF01578700
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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    Paper (German National Licenses)
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  • 2
    Electronic Resource
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    Influence of the device parameters on the static properties of pin diodes at high current densities in the temperature range from 77 to 500 K (1983)
    Springer
    Electrical engineering 66 (1983), S. 143-150 
    Details
    ISSN: 1432-0487
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
    Description / Table of Contents: Übersicht Im Hinblick auf die Optimierung der Durchlaß-eigenschaften von pin-Dioden wird in dieser Arbeit der Einfluß der Strukturparameter auf die statischen Eigenschaften von pin-Dioden systematisch untersucht. — Die hierbei betrachteten Parameter sind die Träger-Träger-Streuung, die Endzonenrekombinationsparameter, die Temperatur, die Trägerlebensdauer, die Auger-Konstante und die Breite deri-Zone. — Die Untersuchungen zeigen, daß die Beschreibung der Träger-Träger-Streuung nach Davies zu einer höheren Durchlaßverlustleistung als die Anwendung der Fletcher-Formel führt und daß die Durchlaßspannung der pin-Diode vom verwendeten Überlagerungsgesetz für die Beweglichkeiten stark abhängig ist. — Es wurde weiterhin gezeigt, daß die Asymmetrie der Ladungsträgerverteilung im i-Gebiet auf den Einfluß der Träger-Träger-Streuung zurückzuführen ist und daß die Randkonzentrationen hauptsächlich durch die Endzonenrekombination bestimmt sind.
    Notes: Contents In this paper the influence of the device parameters on the static behaviour of pin diodes has been systematically investigated with regard to the optimization of the forward properties of pin diodes. — The parameters studied are the carrier-carrier scattering, the recombination parameters in the end regions, the temperature, the carrier lifetime, the Auger constant and the width of thei-region. — The investigations indicate, that the description of the carrier-carrier scattering after Davies causes a higher forward power dissipation than the application of the Fletcher formula and that the forward voltage drop of the pin diode depends strongly from the applied superposition law of mobilities. — Furthermore it has been shown, that the asymmetry of the carrier distribution in the i-region is attributed to the influence of the carrier-carrier scattering and that the edge concentrations are mainly determined by the recombination in the end regions.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF01578421
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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    Paper (German National Licenses)
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  • 3
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    Untersuchung der Sperrfähigkeit hochsperrender p+ n-Strukturen mit mesa-förmiger und inverser Randstufe (1984)
    Springer
    Electrical engineering 67 (1984), S. 287-295 
    Details
    ISSN: 1432-0487
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
    Description / Table of Contents: Contents The results of breakdown voltage calculations of two differentp + ndevices are shown. The calculations are based on the numerical solution of Poisson's equation. Devices with a mesa-like edgecontour and devices with an inverse mesa contour are investigated by an extensive variation of parameters. Special attention is given to the influence of surface charge on the blocking behaviour. Moreover several geometrical parameters are examined, which are important for the fabrication of thyristors.
    Notes: Übersicht Es werden die Ergebnisse von Sperrspannungsberechnungen an zwei unterschiedlichenp + n-Strukturen vorgestellt. Die Resultate werden durch Lösung der zweidimensionalen Poisson-Gleichung mit der Methode der finiten Differenzen erzielt. In einer umfangreichen Parameterstudie werden Strukturen mit einer mesa-artigen Randkontur und Strukturen mit inverser Randstufe untersucht. Besondere Aufmerksamkeit gilt dem Einfluß von positiven Oberflächenladungen auf die Sperrfähigkeit. Daneben werden auch verschiedene geometrische Parameter studiert, deren Einfluß für die Anwendung der genannten Strukturen in Thyristoren bedeutsam sein kann.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF01579784
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    Paper (German National Licenses)
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  • 4
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    Theorie der PCD-Methode für Licht geringer Eindringtiefe (1983)
    Springer
    Electrical engineering 66 (1983), S. 317-325 
    Details
    ISSN: 1432-0487
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
    Description / Table of Contents: Contents The theory of the PCD-method is extended to conditions, where the light is fully absorbed in the semiconductor sample. The transient behaviour of photoconductivity is analysed for rectangular light pulses of arbitrary pulse length as well as for δ-pulses. The decay of photoconductivity is extensively discussed. Most emphasis is given to the influence of surface recombination on the effective lifetime of excess carriers and on the decay rate of the excess carriers immediately after the end of the light puls.
    Notes: Übersicht Die Theorie der PCD-Methode wird erweitert auf den Fall, daß das Licht in der Halbleiterprobe vollständig absorbiert wird. Das transiente Verhalten der Photoleitfähigkeit wird sowohl für rechteckförmige Lichtpulse beliebiger Pulsdauer als auch für δ-förmige Lichtpulse analysiert. Ausführlich diskutiert wird das Abklingen der Photoleitfähigkeit. Besondere Beachtung wird der Auswirkung der Oberflächenerekombination auf die effektive Lebensdauer der Überschußträger und die Abklingrate der Überschußträger unmittelbar nach dem Ende des Lichtpulses geschenkt.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF01452352
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    Paper (German National Licenses)
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  • 5
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    Molecular and chromosomal organization of DNA sequences coding for the ribosomal RNAs in cereals (1980)
    Springer
    Chromosoma 78 (1980), S. 293-311 
    Details
    ISSN: 1432-0886
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Biology , Medicine
    Notes: Abstract The chromosomal locations of ribosomal DNA in wheat, rye and barley have been determined by in situ hybridization using high specific activity 125I-rRNA. The 18S-5.8S-26S rRNA gene repeat units in hexaploid wheat (cv. Chinese Spring) are on chromosomes 1B, 6B and 5D. In rye (cv. Imperial) the repeat units occur at a single site on chromosome 1R(E), while in barley (cv. Clipper) they are on both the chromosomes (6 and 7) which show secondary constrictions. In wheat and rye the major 5S RNA gene sites are close to the cytological secondary constrictions where the 18S-5.8S-26S repeating units are found, but in barley the site is on a chromosome not carrying the other rDNA sequences. — Restriction enzyme and R-loop analyses showed the 18S-5.8S-26S repeating units to be approximately 9.5 kb long in wheat, 9.0 kb in rye and barley to have two repeat lengths of 9.5 kb and 10 kb. Electron microscopic and restriction enzyme data suggest that the two barley forms may not be interpersed. Digestion with EcoR1 gave similar patterns in the three species, with a single site in the 26S gene. Bam H1 digestion detected heterogeneity in the spacer regions of the two different repeats in barley, while in rye and wheat heterogeneity was shown within the 26S coding sequence by an absence of an effective Bam H1 site in some repeat units. EcoR1 and Bam H1 restriction sites have been mapped in each species. — The repeat unit of the 5S RNA genes was approximately 0.5 kb in wheat and rye and heterogeneity was evident. The analysis of the 5S RNA genes emphasizes the homoeology between chromosomes 1B of wheat and 1R of rye since both have these genes in the same position relative to the secondary constriction. In barley we did not find a dominant monomer repeat unit for the 5S genes.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00327389
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 6
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    The nucleolus organizers of diploid wheats revealed by in situ hybridization (1980)
    Springer
    Theoretical and applied genetics 58 (1980), S. 97-100 
    Details
    ISSN: 1432-2242
    Keywords: Nucleolus organizers ; In situ hybridisation ; Diploid wheats ; Ribosomal RNA genes
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Biology
    Notes: Summary Labelled RNA, transcribed in vitro from wheat ribosomal DNA cloned in a bacterial plasmid, has been hybridised to metaphase chromosomes of five diploid wheats. Autoradiography of the chromosomes has provided unequivocal evidence that these genotypes possess two pairs of nucleolus organizer chromosomes. The diploid wheat accessions used possess widely differing numbers of ribosomal RNA genes.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00263097
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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    Paper (German National Licenses)
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  • 7
    Electronic Resource
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    Auswertung von Dünnschicht-Chromatogrammen durch Mikrotitration (1981)
    Springer
    Fresenius' Zeitschrift für analytische Chemie 305 (1981), S. 262-266 
    Details
    ISSN: 1618-2650
    Keywords: Analyse von Pflanzenschutzmitteln ; Chromatographie, Dünnschicht ; Mikrotitration
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Chemistry and Pharmacology
    Description / Table of Contents: Zusammenfassung Nach dünnschicht-chromatographischer Trennung werden die organischen Substanzen mikrotitrimetrisch bestimmt. Der betreffende Kieselgelfleck wird isoliert, wobei basische Verbindungen direkt mit Perchlorsäure titriert werden können. Sauer reagierende Verbindungen werden vom Kieselgel über eine Mikrofritte abgetrennt und anschließend mit Tetrabutylammoniumhydroxidlösung titriert. Halogen-organische Verbindungen werden mit Natrium in flüssigem Ammoniak aufgeschlossen und die freigesetzten Halogenidionen mit Silbernitratlösung titriert. Eine Abtrennung des Kieselgels ist dabei nicht erforderlich. Alle Titrationen werden unter Verwendung eines automatischen Titriergerätes mit einer 1 ml-Bürette ausgeführt. Der Äquivalenzpunkt wird potentiometrisch ermittelt. Diese Analysentechnik, mit der sich 0,5–0,9 mg Substanz auf 2% (relativ) genau erfassen läßt, stellt eine wertvolle Alternative bei der Erstellung von Stoffbilanzen für technische Pflanzenschutzmittelwirkstoffe dar.
    Notes: Summary After separation by thin-layer chromatography, organic compounds are determined by a microtitrimetric procedure. The spot of kieselgel is isolated and basic compounds can be titrated directly with perchloric acid. For acidic substances a rapid extraction step is necessary before the titration with tetrabutylammonium hydroxide solution. Halogenated organic compounds are decomposed by sodium in liquid ammonia and the liberated anionic halogen is titrated with a solution of silver nitrate. In this case a separation of the kieselgel is not necessary. All titrations are performed by means of an automatic titrator equipped with a 1 ml burette. The equivalence point is detected potentiometrically. This analytical technique, beeing able to determine 0,5–0.9 mg of substance (accuracy 2% rel.), provides a useful alternative for preparing a balance for a technical plant protective.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00509274
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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