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  • 1
    Electronic Resource
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    Springer
    Electrical engineering 72 (1989), S. 89-94 
    ISSN: 1432-0487
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
    Description / Table of Contents: Contents Different passivation techniques for planar semiconductor power devices with blocking voltages of 1600 V are studied using two-dimensional numerical simulations.
    Notes: Übersicht Für die Entwicklung einer optimalen Planar-passivierung von Halbleiterleistungsbauelementen mit Sperrspannungen von 1600 V wird ein Vergleich verschiedener Strukturen anhand zweidimensionaler numerischer Simulationen durchgeführt.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 2
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Electrical engineering 67 (1984), S. 287-295 
    ISSN: 1432-0487
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
    Description / Table of Contents: Contents The results of breakdown voltage calculations of two differentp + ndevices are shown. The calculations are based on the numerical solution of Poisson's equation. Devices with a mesa-like edgecontour and devices with an inverse mesa contour are investigated by an extensive variation of parameters. Special attention is given to the influence of surface charge on the blocking behaviour. Moreover several geometrical parameters are examined, which are important for the fabrication of thyristors.
    Notes: Übersicht Es werden die Ergebnisse von Sperrspannungsberechnungen an zwei unterschiedlichenp + n-Strukturen vorgestellt. Die Resultate werden durch Lösung der zweidimensionalen Poisson-Gleichung mit der Methode der finiten Differenzen erzielt. In einer umfangreichen Parameterstudie werden Strukturen mit einer mesa-artigen Randkontur und Strukturen mit inverser Randstufe untersucht. Besondere Aufmerksamkeit gilt dem Einfluß von positiven Oberflächenladungen auf die Sperrfähigkeit. Daneben werden auch verschiedene geometrische Parameter studiert, deren Einfluß für die Anwendung der genannten Strukturen in Thyristoren bedeutsam sein kann.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 3
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Electrical engineering 69 (1986), S. 165-174 
    ISSN: 1432-0487
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
    Description / Table of Contents: Contents The blocking capability of the planarp-n junction with a single-step metal field plate is studied. The breakdown voltage as a function of diffusion depth, field plate length and surface charge density is investigated. The calculations are based on the numerical solution of the Poisson equation using the finite difference method. Eliminating the commonly used idealization of an infinite field plate results in the occurrence of an optimal field plate length. Furthermore, the breakdown voltage of a planar junction equipped with a two-step field plate experimentally investigated by other authors is calculated.
    Notes: Übersicht Die Sperreigenschaft eines planarenpn-Überganges mit einer einstufigen Feldplatte wird untersucht, wobei die bisher in der Literatur verwendete Idealisierung einer unendlich langen Feldplatte fallengelassen wird. Es wird der Einfluß der Feldplattenlänge, der Diffusionstiefe und der Oberflächenladungsdichte durch Lösung der zweidimensionalen Poisson-Gleichung mit der Methode der finiten Differenzen berechnet und das Auftreten einer optimalen Feldplattenlänge gezeigt. Weiterhin wird die Durchbruchspannung einer zweistufigen Feldplattenstruktur berechnet, die von anderen Autoren experimentell untersucht worden ist.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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  • 4
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Amsterdam : Elsevier
    Solid State Electronics 26 (1983), S. 739-745 
    ISSN: 0038-1101
    Source: Elsevier Journal Backfiles on ScienceDirect 1907 - 2002
    Topics: Electrical Engineering, Measurement and Control Technology , Physics
    Type of Medium: Electronic Resource
    Library Location Call Number Volume/Issue/Year Availability
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