ISSN:
0044-2313
Schlagwort(e):
Chemical transport
;
Ga2(SO4)3
;
Chemistry
;
Inorganic Chemistry
Quelle:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Thema:
Chemie und Pharmazie
Beschreibung / Inhaltsverzeichnis:
Contributions on the Thermal Behaviour of Sulphates. XVI. The Chemical Vapour Transport of Ga2(SO4)3 with Cl2 and HCl. Experimental Results and CalculationsCrystals of anhydrous Ga2(SO4)3 can be grown by means of CVT (e. g. 525°C → 475°C) in the less hot region of a closed silica ampoule. We investigated the dependance of the deposition rate on the concentration of the transport agent (Cl2, HCl) and the transport temperature (475°C ≤ T ≤ 750°C; T2 〉 T1; ΔT = 50°C; T = 0.5(T1 + T2)).Experimental results and thermodynamic calculations on the basis of ΔFH298º(Ga2(SO4)3) = -686.5 kcal/mol show a good agreement.
Notizen:
Kristalle von Ga2(SO4)3 können mittels chemischer Transportreaktionen im Temperaturgefälle (z. B. 525°C → 475°C) dargestellt werden. Die Abscheidung erfolgt in der weniger heißen Zone einer geschlossenen Quarzglasampulle. Das Transportverhalten wurde in Abhängigkeit von der Transportmittelkonzentration (C(Cl2); C(HCl)) sowie von der Temperatur (475°C ≤ T ≤ 750°C; T2 〉 T1; ΔT = 50°C; T = 0,5(T1 + T2)) untersucht.Das Beobachtungsmaterial läßt sich mit den Ergebnissen thermodynamischer Modellrechnungen gut in Einklang bringen, wenn man ΔBH298º(Ga2(SO4)3) = -686,5 kcal/mol zugrunde legt und weitere wichtige Parameter (C(H2O), Diffusionsquotient) in die kritische Betrachtung mit einbezieht.
Zusätzliches Material:
3 Ill.
Materialart:
Digitale Medien
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19956210619
Permalink
