ISSN:
0044-2313
Keywords:
Polytellurides
;
layer structures
;
aluminium telluride
;
Chemistry
;
Inorganic Chemistry
Source:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
The Pentatellurides M2Te5 (M = Al, Ga, In): Polymorphism, Structural Relations, and Homogeneity RangesThe hitherto unknown crystal structure of the black solid Al2Te5 is solved by Rietveld refinement of X-Ray powder data: a = 1359.29(3) pm, b = 415.27(1) pm, c = 983.92(2) pm, β = 126.97(1)°, space group: C2/m (no. 12), Z = 2. In contrast to Ga2Te5 and In2Te5Al2Te5 is very sensitive to hydrolysis. It can formally be described as Te[AlTe3/3Te1/1]2, containing layers made up of chains of cis-edge-sharing AlTe4 tetrahedra [AlTe3/3Te1/1] and additional Te atoms. In2Te5-I and In2Te5-II are characterized by layers with a similar topology, Ga2Te5 however is different. It has no layer structure, but contains chains of trans-edge-sharing GaTe4-tetrahedra and additional Te-atoms according to the formulation Te[GaTe4/2]2. It can be regarded as a variant of the TlSe type structure.From heterogeneous samples with the nominal composition In0.5Ga1.5Te5 single crystals of a new stacking variant (In2Te5-III) of the In2Te5 structure type can be isolated. The composition of the crystals, determined by single crystal structure analysis, is In0.77Ga1.23Te5, with a = 1613.2(3) pm, b = 424.6(1) pm, c = 1330.5(2) pm, β = 97.39(1)°, space group C2/c (Nr. 15), Z = 4. This structure type is not yet known for unsubstituted In2Te5.The range of homogeneity for Ga2Te5 with respect to the substitution of Gallium by Indium is given by Ga2-xInxTe5 (x 〈 0.4). Within the limits of experimental error however a substitution of Te in Ga2Te5 by Se cannot be detected.
Notes:
Die bislang unbekannte Kristallstruktur der schwarzen, binären Verbindung Al2Te5 wird durch Rietveld-Verfeinerung an Röntgen-Pulverdaten aufgeklärt: a = 1359,29(3) pm, b = 415,27(1) pm, c = 983,92(2) pm, β = 126,97(1)°, Raumgruppe: C2/m (Nr.12), Z = 2. Al2Te5 ist im Unterschied zu Ga2Te5 und In2Te5 sehr hydrolyseempfindlich und kristallisiert in einer Struktur, die sich formal als Te[AlTe3/3Te1/1]2 beschreiben läßt. Das heißt es liegen Schichten vor, die aus Ketten cis-kantenverknüpfter AlTe4-Tetraeder und zusätzlichen Te-Atomen im Sinne der o.g. Formulierung bestehen. Schichten mit einer ähnlichen Topologie sind auch charakteristisch für die beiden Modifikationen In2Te5-I und In2Te5-II, nicht aber für Ga2Te5. Dieses hat, im Unterschied zu Al2Te5 und In2Te5, keine Schichtstruktur, sondern ist durch Ketten trans-kantenverknüpfter GaTe4-Tetraeder und zusätzliche Te-Atome im Sinne einer Formulierung Te[GaTe4/2]2 gekennzeichnet. Seine Struktur kann als Variante des TlSe-Typs angesehen werden.Aus heterogenen Proben mit der Bruttozusammensetzung In0,5Ga1,5Te5 können darüber hinaus Einkristalle einer neuen, bei In2Te5 selbst bislang nicht gefundenen Stapelvariante des In2Te5-Typs (In2Te5-III) isoliert und strukturell charakterisiert werden. Ihre aus den Einkristalldaten bestimmte Zusammensetzung ist In0,77Ga1,23Te5 mit a = 1613,2(3) pm, b = 424,6(1) pm, c = 1330,5(2) pm, β = 97,39(1)°, Raumgruppe C2/c (Nr. 15), Z = 4.Der Homogenitätsbereich von Ga2Te5 bezüglich Ersatz von Ga durch In ist durch die indiumreiche Grenzzusammensetzung Ga2-xInxTe5 (x = 0,4) gekennzeichnet. Im Rahmen der Fehlergrenzen ist ein Ersatz von Te in Ga2Te5 durch Se nicht nachweisbar.
Additional Material:
6 Ill.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19966220611
Permalink
