ISSN:
0392-6737
Keywords:
Surface double layers
;
Schottky barriers
;
work functions
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto In questo lavoro vengono presentati risultati concernenti barriere Schottky Mo/GaAs preparate mediante «sputtering» in continua, per diversi valori delle tensioni di «sputtering». Le misure di caratteristiche corrente-tensione e capacità-tensione mostrano che è possibile ottenere barriere con buone caratteristiche elettriche (fattore di idealità prossimo ad uno, corrente di saturazione inversa molto bassa), purché siano scelte le giuste condizioni di deposizione. È stato anche condotto uno studio dettagliato delle ricavare informazioni sul meccanismo di trasporto dei portatori di carica. I risultati sperimentali mostrano che il comportamento di questo tipo di barriere è perfettamente spiegabile nell'ambito del modello unificato dei difetti nelle barriere Schottky nel GaAs.
Abstract:
Резюме Барьеры Шоттки Mo/GaAs приготовлены с помощью распыления при различных значениях напряЗения распыления. Измерения зависимостей тока от напряЗения и емкости от напряЗения показывают, что зти барьеры могут иметь очень хорощие свойства, если выбираются соответствующие условия приготовления. Подробное исследование вольт-амперных характеристик в зависимости от температуры позволяет проанализировать механизмы переноса заряда и связать их с усломиями приготовления. Зкспериментальые результаты показывают, что поведение барьеров Шоттки Mo/GaAs, приготовленных с помощьюDC распыления, моЗно успешно объяснить на основе единой модели дефектов, предлоЗенной для барьеров Шоттки GaAs.
Notes:
Summary Mo/GaAs Schottky barriers have been prepared by d.c. sputtering, for different values of the sputtering voltage. Current-voltage and capacitance-voltage measurements show that these barriers can have very good properties (near one ideality factor, very low inverse saturation current) if suitable preparation conditions are chosen. A detailed study of the current-voltage characteristics as a function of the temperature allows us to analyse the carrier transport mechanisms and to correlate them to the preparation conditions. The experimental results show that the behaviour of the Mo/GaAs Schottky barriers, prepared by d.c. sputtering, can be successfully explained on the basis of the unified defect model proposed for the GaAs schottky barriers.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02450986
Permalink
