ISSN:
1618-2650
Quelle:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Thema:
Chemie und Pharmazie
Beschreibung / Inhaltsverzeichnis:
Zusammenfassung Vergrabene Nitridschichten in Silicium werden durch Hochdosis-Ionenimplantation hergestellt und auf ihre Eignung als Kalibriermaterial für die quantitative Dünnschichtanalyse geprüft. Dafür werden N+-Ionen (150 und 300 keV; 0,35–1·1018 N+ cm−2) in Si-Einkristallen implantiert und durch Temperung (1200°C, bis 15 h) formiert. Die mit AES/Sputtering erhaltenen Signalintensitäten als Funktion der Sputterzeit können mit Hilfe unabhängiger Kalibriermessungen in die Stickstoffgehalte als Funktion der Probentiefe transformiert werden. Die Tiefenzuordnung wird durch AES-Mikroanalyse an Schrägschliffen (〈1°) und durch Vergleich mit Monte-Carlo-Simulation mit einer Genauigkeit von ca. 30 nm bei 0,3 μm Profiltiefe erhalten. Der Stickstoffgehalt wird mittels der gemessenen Implantationsdosis bestimmt. Weitere zusätzliche Bestimmungsmethoden werden diskutiert. Es zeigt sich, daß die beschriebenen Proben als Kalibriermaterial für das Stoffsystem Silicium/Stickstoff geeignet sind.
Notizen:
Summary Buried layers of silicon nitride in silicon are produced by high-dose ion implantation and are checked for their suitability as calibration samples for quantitative thin film analysis. For this purpose, N+ ions (150 and 300 keV; 0.35 to 1×1018 N+ cm−2) are implanted into silicon single crystals and the samples annealed at 1,200°C for up to 15 h. The signal intensities and the sputter time obtained by AES/ sputtering can be converted into nitrogen content and sample depth by means of independent calibration measurements. The absolute depth scale is obtained by AES microanalysis at angle lapped surfaces (angle 〈1°) and by comparison with Monte Carlo simulation. The accuracy obtained is about 30 nm at a profile depth of 0.3 μm. The nitrogen content is determined quantitatively by means of the measured implantation dose. Additional methods of calibration are discussed. It is shown that the samples used are suitable as calibration samples for the silicon/nitrogen system.
Materialart:
Digitale Medien
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01226734
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