ISSN:
0392-6737
Keywords:
Thin-film growth, structure and epitaxy
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Strati epitassiali sottili ((0.5÷5) μm) di Pb1−x Mn x Te (0≤x≤0.03) sono stati accresciuti su substrati di BaF2 con una tecnica modificata di riscaldamento della parete. Il sistema di evaporazione ha tre sorgenti indipendenti che contengono PbTe, Mn e Te, rispettivamente. Sono stati preparati sia film di tipon che di tipop con concentrazione di portatori nell'intervallo (2÷10)·1017 cm−3 e con mobilità fino a 105 cm2/V s.
Abstract:
Резюме Тонкие эпитаксиальные пленки ((0.5÷5) мкм) Pb1−x Mn x Te (0≤x≤0.03) выращиваются на подложках BaF2 с помощйю модифицированного метода »горячей стенки». Испарителяная система имеет три независимых источника, содержаших соответственно PbTe, Mn и Te. Приготовляются тонкие пленкиn-иp-типов с концентрациями носителей в области (2÷10)·1017 см−3 и с подвижностями вплоть до 105 см2/Вс.
Notes:
Summary Thin epitaxial films ((0.5÷5) μm) of Pb1−x Mn x Te (0≤x≤0.03) have been grown on BaF2 substrates by a modified hotwall technique. The evaporation system has three independent sources containing PbTe, Mn and Te, respectively. Bothn- andp-type films with carrier concentrations in the range (2÷10)·1017 cm−3 and with mobilities up to 105 cm2/V s have been prepared.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02457878
Permalink