Bibliothek

X
feed icon rss

Ihre E-Mail wurde erfolgreich gesendet. Bitte prüfen Sie Ihren Maileingang.

Leider ist ein Fehler beim E-Mail-Versand aufgetreten. Bitte versuchen Sie es erneut.

Vorgang fortführen?

Exportieren
Filter
  • Artikel: DFG Deutsche Nationallizenzen  (2)
  • Digitale Medien  (2)
  • 72.80.Cw  (2)
Datenquelle
  • Artikel: DFG Deutsche Nationallizenzen  (2)
Materialart
  • Digitale Medien  (2)
Erscheinungszeitraum
Schlagwörter
  • 1
    Digitale Medien
    Digitale Medien
    Differential evaluation of the Hall effect in silicon with oxygen-related donors (1984)
    Springer
    Applied physics 33 (1984), S. 47-50 
    Details
    ISSN: 1432-0630
    Schlagwort(e): 71.55.Fr ; 72.80.Cw
    Quelle: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Thema: Maschinenbau , Physik
    Notizen: Abstract The free-electron concentration as a function of the temperature is analyzed differentially for silicon with oxygen-related donors formed by annealing at 430 °C. The analysis yields defect levels atE c−0.25 eV,E c−0.14eV, andE c−0.055 eV assuming the degeneracy factors to be unity. The corresponding defect level concentrations are approximately proportional to the annealing time. Their formation rates are between 1 and 3×1010cm−3s−1 at 430 °C annealing temperature.
    Materialart: Digitale Medien
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF01197085
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
    Artikel (Nationallizenzen)
    Volltext
  • 2
    Digitale Medien
    Digitale Medien
    Charge carrier statistics of semiconductors containing defects with negative electronic correlation energy (1982)
    Springer
    Applied physics 27 (1982), S. 39-47 
    Details
    ISSN: 1432-0630
    Schlagwort(e): 71.55.Fr ; 72.80.Cw ; 71.45.Gm
    Quelle: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Thema: Maschinenbau , Physik
    Notizen: Abstract The free charge carrier concentration as a function of the reciprocal temperature and the doping level [p(1/T)- andp(C)-characteristics] is calculated from the neutrality equation of a semiconductor containing positive or negativeU centers. The typical exponential laws and power laws of thep(1/T)- andp(C)-characteristics are given both for positive and negative correlation energy of the bound charge carrier pairs. Furthermore, the characteristics are evaluated differentially, in order to obtain criteria for the presence of negativeU centers in semiconductors.
    Materialart: Digitale Medien
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF01197545
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
    Artikel (Nationallizenzen)
    Volltext
Schließen ⊗
Diese Webseite nutzt Cookies und das Analyse-Tool Matomo. Weitere Informationen finden Sie hier...