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    Digitale Medien
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    Woodbury, NY : American Institute of Physics (AIP)
    Applied Physics Letters 74 (1999), S. 3356-3358 
    ISSN: 1077-3118
    Quelle: AIP Digital Archive
    Thema: Physik
    Notizen: We report on the synthesis of InAs quantum dots on (311)B InP substrates. It is found that the use of such high index surfaces allows the formation of a high density (5×1010 islands/cm2) of small InAs islands (diameter(approximate)350 Å) on InP. Moreover, a large improvement of the size uniformity is obtained in comparison with deposition on (100) surface. The standard height deviations are ±13% and ±50% for islands grown on (311)B and (100) surfaces, respectively. Then, we show that the modification of the As/P flux sequences, after the island formation, permits the control of the quantum dot emission wavelength. The achievement of quantum dots emitting at 1.55 μm at 300 K indicates that this method is promising for telecom device making. © 1999 American Institute of Physics.
    Materialart: Digitale Medien
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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