ISSN:
1438-1168
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Geosciences
Description / Table of Contents:
Summary The Eu2Sb3 structure was redetermined (R aniso =0.055, 2474hkl;R aniso =0.062, 1223 weak reflexions withk=2n+1). The structures of Eu2Sb3 and Ca2As3 are identical defect structures of a common trigonal-prismatic AB2 type, which links the arrangement of prims of the AlB2 type and the α-ThSi2 type. The two structures differ by the positions of additional bond breaks (without generation of new defects) and of additional bonds crossing unoccupied prisms yielding the formation of Sb 6 8− chains and As 4 6− +As 8 10− chains, respectively. A general scheme is given for trigonal-prismatic structures and their defect variants. The valence ruleE=(8−N)Z+N * d relates valence electron numberE, number of atomsZ and number of defectsd with the mean bond orderN of the structure or of a partial structure and with the mean electron counting of a defect,N *. This relation is applied to some examples and discussed.
Notes:
Zusammenfassung Die Struktur von Eu2Sb3 wurde neu bestimmt (R aniso =0,055, 2474hkl;R aniso =0,062, 1223 schwache Reflexe mitk=2n+1). Eu2Sb3 und Ca2As3 sind identische Defektvarianten eines gemeinsamen AB2-Typs, der das Bindeglied zwischen den Anordnungen von trigonalen Prismen des AlB2-und des α-ThSi2-Typs darstellt. Die beiden Strukturen unterscheiden sich nur durch die Positionen zusätzlich getrennter Bindungen (ohne Erzeugung neuer Defekte) und neu geknüpfter Bindungen durch unbesetzte Prismen hindurch, so daß Sb 6 8− bzw. As 4 6− und As 8 10− -Ketten entstehen. Ein allgemeiner Zusammenhang für Strukturen mit lückenlosen trigonalprismatischen Anordnungen und ihren Defektvarianten wird abgeleitet. Mit Hilfe der neuen ValenzregelE=(8−N)Z+N *·d werden die Anzahl der ValenzelektronenE und die Zahl der AtomeZ mit der mittleren ElektronenzahlN *, die durch einen Defekt gebunden werden, verknüpft. Diese Beziehung wird auf einige Beispiele angewandt und diskutiert.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01081110
