ISSN:
0044-2313
Schlagwort(e):
Chemistry
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Inorganic Chemistry
Quelle:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Thema:
Chemie und Pharmazie
Beschreibung / Inhaltsverzeichnis:
Studies on the Electrical Conductivity of NbO2 and NbxTi(1-x)O2.The temperature dependence of the electrical resistivity of NbxTi(1-x)O2 cristals of different compositions was determined between 0°C and 1000°C. For 1 〉 x〉0.85 the semiconductor-semiconductor transition observed in pure NbO2 〈 800°C was shifted to lower temperatures. For x = 0.2 and x = 0.4 a semiconductor-metal transition was observed at 500 and 280°C, respectively, and for x 〈 0.05 the conductivity is metallic. This behaviour supports strongly the assumption that the existence of Nb - -Nb pair bonds, observed in X-ray studies of the low temperature modification of NbO2, is responsible for the semiconducting character of NbxTi(1-x)O2 in the composition range 1 〉 x 〉 0.2. According to this model a semiconductor-metal transition should occur also in pure NbO2 at temperatures higher than 1000°C.
Notizen:
In der Phase NbxTi(1-x)O2 wurde für verschiedene Zusammensetzungen die Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes zwisehen 0 und 1000°C gemessen. Es ergab sich, daß für x 〉 0,85 der in reinem NbO2 bei 800°C auftretende Halbleiter-Halbleiter-Übergang zu tieferen Temperaturen hin verschoben wird. Für x = 0,2 und 0,4 wird bei 500 bzw. 280°C ein Halbleiter-Metall-Übergang beobachtet und für x 〈 0,05 ist die Phase im ganzen Temperaturbereich metallisch leitend. Zur Deutung dieses Verhaltens wird angenommen, daß die in der Tieftemperaturmodifikation von NbO2 röntgenographisch nachgewiesenen Nb - Nb-Paare für die Halbleitereigenschaften verantwortlich sind. Daraus kann geschlossen werden, daß auch in reinem NbO2 oberhalb von 1000°C ein Halbleiter-Metall-Übergang auftreten sollte.
Zusätzliches Material:
1 Tab.
Materialart:
Digitale Medien
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19733980205
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