ISSN:
0392-6737
Keywords:
Electronic properties of thin films
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Si sono studiati due tipi di fenomeni di commutazione in film sottili amorfi e policristallini di CdIn2S4 che sono stati ottenuti col metodo di evaporazione nel vuoto e col metodo di spruzzamento a c.c., rispettivamente. Uno è il cosiddetto fenomeno di commutazione della memoria che nasce dal percorso del filamento a bassa resistenza. Un altro è il caratteristico fenomeno di commutazione nel quale la resistività cambia bruscamente ogni qual volta la temperatura ambiente raggiunge un valore critico. Il tempo di commutazione è breve e intorno ai 100 ns. Questo fenomeno di commutazione è in relazione ai difetti innati nel reticolo CdIn2S4 perché questi possono essere osservati nei film policristallini cosí come nei film sottili amorfi.
Abstract:
РезУме Исследуится два типа явлений коммутации в поликристаллических и аморфных тонких пленках CdIn2S4, которые приготовлены методом вакуумного испарения и методом d.c. напыления. Одно явление представляет так называемое явление запоминающею коммутации. Другое представляет характеристическое явление коммутации, в котором удельное сопротивление резко меняется, когда температура окружающею среды достигает критическою величины. Время коммутации меньше или порядка 100 нс. Это явление коммутации связано с природными дефектами в решетке CdIn2S4, так как они могут наблюдаться в поликристаллических, а талже в аморфных тонких пленках.
Notes:
Summary Two kinds of switching phenomena in CdIn2S4 polycrystalline and amorphous thin films which were prepared by the vacuum evaporation method and the d.c. sputtering method, respectively, were studied. One is the so-called memory switching phenomenon arising from the low resistive filament path. Another is a characteristic switching phenomenon in which the resistivity abruptly changes whenever the ambient temperature reaches a critical value. The switching time is fast and about 100 ns. This switching phenomenon is related to the native defects in the CdIn2S4 lattice, because they can be observed in the polycrystalline as well as in the amorphous thin films.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02457875
Permalink
