ISSN:
0392-6737
Keywords:
Thin-film growth
;
structure and epitaxy
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Films di solfuro di cadmio sono stati cresciuti su substrati di tellururo di cadmio, mediante la tecnica della deposizione chimica da fase vapore in tubo aperto. La crescita è stata realizzata in un reattore di tipo orizzontale, usando come sorgente grani policristallini di CdS e idrogeno come agente trasportatore. Le temperature della zona sorgente e della zona substrato sono state variate nell'intervallo (700÷900)°C e (400÷800)°C, rispettivamente. I valori sperimentali della velocità di crescita sono stati paragonati a quelli calcolati assumendo un modello di crescita in condizioni di quasi equilibrio. Il confronto mostra che il processo di crescita può essere adeguatamente descritto da tale modello in un piccolo intervallo di temperatura attorno a 700°C. A temperature inferiori o superiori le cinetiche superficiali limitano la crescita. I films cresciuti a 700°C mostrano inoltre la migliore morfologia. Misure di diffrazione X e di fotoluminescenza evidenziano inoltre che i films cresciuti in queste condizioni hanno una buona qualità strutturale.
Abstract:
Резюме Метод химического напыления в открытой тпубке испольэуется для выращивания эпитаксиальных CdS пленок на CdTe подложках. Выращивание проиэводится в гориэонтальном реакторе, испольэуя поликристаллический CdS в качестве материала источника и водород, как транспортный гаэ. Температуры эоны источника и эоны подложки иэменяются соответсвенно в интервалаш (700÷900)°C и (400÷800)°C. Экспериментальные значения напыления сравниваются с вычисленными значениями, предполагая квази-равновесныю модель. Сравнение показывает, что выращивания мжет быть адекватно описан с помощью такой модели в небодьшой области температур вблиэи 700°C. При меньших и больших температурах поверхностная кинетика ограничивает процесс роста. Пленки, выращенные при 700°C, также овнаруживает наилучшую морфологию. Иэмерения рентгеновской дифракции и фотолюминиесценции подтверждают, что пленки, выращенные в этих условиях, имеУт высокое качество структуры.
Notes:
Summary The open-tube chemical vapour deposition has been used to grow epitaxial CdS films on CdTe substrates. The growth has been performed in a horizontal reactor, using polycristalline CdS as source material and hydrogen as transporting gas. The deposition and the source temperatures have been varied in the range (400÷800)°C and (700÷900)°C, respectively. The experimental values of the deposition rate have been compared with those calculated assuming a quasi-equilibrium model. The comparison shows that the growth process can be adequately described by such a model in a small-temperature region around 700°C. At lower or higher temperatures the surface kinetics becomes the limiting mechanism. Films grown at 700°C show also the best morphology. X-ray diffraction and photoluminescence measurements evidence that films grown in these conditions have a good structural quality.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02450089
Permalink
