ISSN:
0392-6737
Keywords:
Photoluminescence
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Si è misurata ed analizzata la fotoluminescenza del composto a strati CdInGaS4. Si è trovato che la larga banda di emissione a circa 1.9 eV è composta di tre bande con picchi a 2.16, 1.98 e 1.76 eV a 4.8 K. Queste bande sono dovute a transizioni da libero a legato o da donatore ad accettore. Si è trovata una nuova banda di emissione con picco a 2.38 eV. Questa banda mostra che l'intensità di picco dipende marcatamente dalla posizione nel cristallo ed è correlata a centri localizzati. Si discute l'origine dei centri.
Abstract:
Резюме Измеряется и анализируется фотолюминесценция слоистых соединений CdInGaS4. Обнаружено, что широкая полоса излучения около 1.95 эВ состоит из трех зон 2.16, 1.98 и 1.76 эВ при 4.8 К. Эти зоны связаны с переходами из свободного состояния в связанное или от донора к акцептору. Мы обнаружили новую полосу излучения вблизи 2.38 эВ. Эта полоса имеет интенсивность, которая зависит от положения в кристалле и связана с локализованными центрами. Обсуждается природа этих центров.
Notes:
Summary The photoluminescence of the layered compound CdInGaS4 was measured and analysed. The broad emission band at about 1.95 eV was found to be composed of three bands peaking at 2.16, 1.98 and 1.76 eV at 4.8K. These bands are due to free-to-bound or donor-to-acceptor transitions. We have found a new emission band peaking at 2.38 eV. This band shows that peak intensity markedly depends on the position in the crystal and is related to localized centres. The origin of the centres is discussed.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02457901
