ISSN:
0044-8249
Keywords:
Chemistry
;
General Chemistry
Source:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Notes:
Bis vor kurzem war die Produktion von Galliumarsenid, Indiumphosphid und verwandten Halbleitern eine Domäne der Materialwissenschaftler und Elektroingenieure. Durch geschickten Einsatz der klassischen Chemie, veranschaulicht an der thermischen Reaktion von Me3Ga und AsH3, ist es möglich, Halbleiter in kommerziellem Maßstab herzustellen. Es gibt jedoch einige Nachteile dieser Methoden, so die Umwelt- und Gesundheitsrisiken bei der Handhabung pyrophorer und giftiger Materialien, Probleme bei der Kontrolle der Stöchiometrie und unerwünschte Nebenreaktionen. Kann der anorganisch oder metallorganisch orientierte, präparativ arbeitende Chemiker auf diesem wichtigen Gebiet durch Konzeption und Entwicklung neuer Reagentien für die Produktion von Halbleitern eine nützliche Rolle spielen? Wir glauben, die Antwort lautet ja, und in dem vorliegenden Beitrag diskutieren wir einen neuen Weg zur Herstellung von dünnen GaAs- und InP-Filmen, basierend auf III/V-Komplexe als einziger Quelle. Diese Komplexe weisen starke Bindungen zwischen den Elementen der III. und V. Hauptgruppe des Periodensystems auf, und sie tragen Substituenten, die leicht thermisch eliminiert werden können. Die III/V-Komplexe sind gegenüber Luft und Feuchtigkeit stabiler und erheblich weniger toxisch als Addukte oder Mischungen aus III- und V-Verbindungen.
Additional Material:
6 Ill.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/ange.19891010908
Permalink
