ISSN:
1432-0487
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
Description / Table of Contents:
Contents Due to their principle of operation, FCThs (FTDs, SIThs) are among the best candidates for switching high currents and voltages: They conduct like diodes, are blocked by field effect and require drive current only during turn-on and turn-off.— Two main innovations were necessary to make this potential accessible: By means of the recessedgate-(Verigrid)-technology the device's control finger width, height, doping and contacting can be optimized independently, and by an extremely low inductive drive fast and homogeneous turn-off is obtained. — With small technological effort we have realized FCThs exhibiting features which come close of the theoretical limits of bipolar silicon devices. Therefore it is likely that the FCTh will make possible snubberless circuits in the near future even at highest power level.
Notes:
Übersicht Das Funktionsprinzip prädestiniert den FCTh (alias FTD, SITh) für das Schalten großer Ströme und Spannungen: FCThs leiten wie Dioden, werden durch Feldeffekt blockiert und benötigen nur zum Umschalten Ansteuerenergie. — Doch zwei grundlegende Innovationen waren zur Erschließung dieses Potentials erforderlich: Die Recessed-Gate-(Verigrid)-Technologie, damit Breite, Höhe, Dotierung und Kontaktierung der Steuerfinger der FCThs unabhängig voneinander optimiert werden können und eine extrem niederinduktive Ansteuerung zum schnellen und homogenen Ausschalten der FCThs.— So haben wir unter geringem technologischem Aufwand Bauelemente mit Eigenschaften realisiert, die den theoretischen Grenzen bipolarer Si-Schalter sehr nahe sind. Snubberfreie Schaltungen dürften damit auch in der höchsten Leistungsklasse in Kürze realisierbar sein.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01573640
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