ISSN:
0003-3146
Schlagwort(e):
Chemistry
;
Polymer and Materials Science
Quelle:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Thema:
Chemie und Pharmazie
,
Physik
Beschreibung / Inhaltsverzeichnis:
XPS-, SSIMS- und Wasserkontaktwinkelmessungen wurden verwendet, um den chemischen Einfluß von CF4/O2-Entladungen auf Polycarbonat (PC) aus Bisphenol A zu charakterisieren. Die durch Plasmabehandlung erzeugte Oberflächenmodifizierung kann auf der Basis der im Plasma vorhandenen aktiven Spezies, deren Konzentration durch Actinometrie bestimmt worden ist, erklärt werden.Bei kleinen Gehalten an O2 im Gas (1%) tritt eine umfassende Fluorierung der Oberfläche bedingt durch die Pfropfung von Fluorkohlenstoff-Radikalen ein. Es werden perfluorierte Inseln gebildet, wie der hohe Wert des zunehmenden Kontaktwinkels zeigt. Bei 20-80% O2 reagieren Fluoratome mit der Oberfläche und ätzen sie teilweise. Kleine Gehalte an Fluor, aber keine perfluorierten Inseln werden beobachtet. Sauerstoff trägt zum Ätzen bei und oxidiert die PC-Oberfläche. Die Sauerstoffkonzentration auf der Oberfläche nimmt mit Zunahme des O2-Gehalts im Gas zu, ebenso die Bildung von stark oxidierten Inselchen auf der Probenoberfläche, wie die dramatische Abnahme der Kontaktwinkel zeigt. Eine Verminderung der Aromatizität der Oberfläche, die mit Hilfe von XPS und SSIMS beobachtet wird, ist die Folge dieser Reaktionen.
Notizen:
XPS, SSIMS and water contact angle measurements have been used to characterize the chemical effect of CF4/O2 discharges on polycarbonate (PC) made from bisphenol A. We found that the surface modification induced by plasma treatment can be clearly explained on the basis of the acitve species present in the plasma, whose concentration has been studied by actinometry.With very low amounts of O2 in the gas feed (1%) extensive fluorination of the surface occurs, due to grafting of the fluorocarbon radicals. Perfluorinated islands are formed, as shown by the high value of advancing contact angles. In the 20-80% O2 range, fluorine atoms react with the surface, partially inducing etching. Low amounts of fluorine are observed on the sample and no perfluorinated islands. Oxygen participates in etching and oxidizes the PC surface. We observed an increase of the surface concentration of oxygen with increasing the O2 amount in the gas feed and also the formation of strongly oxidized islets on the sample surface, as shown by the dramatic reduction of receding contact angles. A reduction of surface aromaticity, observed by XPS and SSIMS, is the consequence of these reactions.
Zusätzliches Material:
5 Ill.
Materialart:
Digitale Medien
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/apmc.1989.051730114
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